Напредокот во технологијата овозможува трипати поголем капацитет од други NAND технологии
Микрон Технологија, Inc. (NASDAQ: MU) и Интел Корпорацијата денес ја објавија достапноста на нивната 3D NAND технологија, флеш меморија со најголема густина во светот. Флеш е технологија за складирање на податоци која се користи кај најлесните лаптопи, најбрзите дата-центри, скоро кај секој мобилен телефон, таблет и портабл уред.
Оваа нова 3D NAND технологија, која беше заеднички развивана од Интел и Микрон, слоевите за чување на податоци ги подредува вертикално со извонредна прецизност за да може да се произведат уреди со трипати поголем капацитет1 од NAND технологијата на конкурентите. Со ова, се овозможуваат повеќе складирани податоци во помал простор, дополнително донесувајќи пониски цени, помала потрошувачка на ел. енергија, како и високи перформанси за различни уреди за потрошувачите и за компаниите кај кои е најпотребно.
Планарната NAND флеш меморијата се ближи до границите на практичното скалирање, поставувајќи значаен предизвик за индустријата за мемории. 3D NAND технологијата ги одржува флеш решенијата за складирање на податоци паралелни со Муровиот закон, траекторијата на континуирани перформанси и заштеда на пари, правејќи го флешот широко употреблив.
„Соработката на Микрон и Интел креираше SSD технологија за складирање на податоци која е лидер во индустријата и нуди густина, перформанси и ефикасност, повеќе од секоја флеш меморија денес,“ изјави Брајан Ширли, потпретседател на Memory Technology and Solutions во Micron Technology. „Оваа 3D NAND технологија има потенцијал да креира фундаментални промени на пазарот. Значењето кое флеш технологијата го има до денес – од смартфони до суперкомпјутинг оптимизиран на флеш – само ја гребнува површината на се она што е возможно.“
„Посветеноста на Интел на можностите за развивање со Микрон го рефлектира нашиот контиуиран стремеж да понудиме водечки и иновативни технологии за мемории на пазарот,“ изјави Роб Крук, постар потпретседател и генерален менаџер на Non-Volatile Memory Solutions Group, Intel Corporation. “Големите подобрувања кај густината и цената и овозможуваат на нашата нова иновативна 3D NAND технологија да ги забрза SSD мемориите на компјутерските платформи.“
Иновативен процес на архитектура
Еден од најзначајните аспекти на оваа технологија е самата мемориска ќелија. Интел и Микрон одбраа да користат т.н „лебдечка“ ќелија, универзално прифатен дизајн рафиниран низ годините на производство. Ова е прв пат да се користи „лебдечка“ ќелија во 3D NAND, што претставува клучен избор за дизајн што овозможува подобри перформанси, го зголемува квалитетот и сигурноста.
Оваа нова 3D NAND технологија ги поставува ќелиите вертикално во 32 слоја за да достигне 256Gb „multilevel cell“(MLC) и 384Gb „triple-level cell“ (TLC) што може да ги собере во стандардното пакување. Овие капацитети можат да им овозможат на SSD мемориите со големина на пакување на гуми за џвакање повеќе од 3.5 терабајти простор за складирање и на стандардните SSD од 2.5 инчи повеќе од 10 терабајти. Заради тоа што капацитетот се постигнува со вертикално поставување на ќелиите, индивидуалните димензии на секоја ќелија можат да бидат значително поголеми. Од ова се очекува пораст кај перформансите и издржливоста правејќи ги дури и TLC дизајните погодни за дата центри.
Клучни карактеристики на овој 3D NAND дизајн се:
- Голем капацитет – Три пати повеќе капацитет од постоечката 3D технологија1 – до 48 гигабајти NAND овозможувајќи три-четвртини од терабајт да се соберат во пакување со големина на врв од прст.
- Редуцирана цена по гигабајт– Првата генерација на 3D NAND е дизајнирана за да достигне подобра цена од планарна NAND.
- Брзина – Голема ширина на опсег за пишување/читање, I/O брзини и перформанси.
- Екологија – Новите „sleep“ модови овозможуваат мала потрошувачка на енергија со исклучување на струја за неактивни NAND коцки (дури и кога други во истото пакување се активни), значително намалување на потрошувачка во „standby“.
- „Smart“– Иновативен нов дизајн за подобрување на каснењето и зголемување на издржливоста во споредба со претходните генерации, полесна системска интеграција.
