Новиот Самсунг 12Gb LPDDR5 е базиран на најновите DRAM стандарди и го зголемува потенцијалот на 5G и Вештачката интелигенција
Samsung Electronics Co., Ltd., светскиот лидер во развиени мемориски технологии, денес објави дека започна со масовно производство на првиот индустриски 12-gigabit (Gb) LPDDR5 мобилен DRAM, кој е оптимизиран за подобрување на 5G и Вештачката интелигенција во идните смартфони. Новата мобилна меморија доаѓа само 5 месеци по најавата на масовната продукција на 12GB LPDDR4X, целосно зацврстувајќи ја премиум линијата на меморија на компанијата. Воедно, Самсунг планира да започне со масовно производство на 12 гигабитни (GB) LPDDR5 пакети кон крајот на месецот, секој пакет вклучува осум од 12-те Gb чипови, по барање на растечката потреба на смартфони со повисоки перформанси и капацитети од премиум произведувачите на смартфони.
„Со масовното производство на 12Gb LPDDR5, креиран на последниот втора-генерација 10-нанометри (nm) процес од Самсунг, сме возбудени што можеме да го поддржиме лансирањето на 5G смартфони за нашите клиенти низ цел свет,“ порача Јунг-бае Ли, извршен заменик претседател на DRAM Производство и Технологија, Samsung Electronics. “Самсунг останува целосно посветен на тоа брзо да ги претставува идните технологии на мобилни мемории што овозможуваат подобри перформанси и поголеми капацитети, како и продолжување во агресивниот развој на премиум пазарот за меморија.“
Благодарение тоа што во индустријата ги имаат најдобрите брзини и енергетска ефикасност, новиот мобилен DRAM на Самсунг може да им помогне на најдобрите смартфони од следната генерација целосно да ги искористат капацитетите на 5G и Вештачката интелигенција како ултра високото снимање на видео и машинското учење, зголемувајќи го животот на батеријата.
Со дата стапка од 5,500 megabits per second (Mb/s), 12Gb LPDDR5 е околу 1.3 пати побрз од претходните мобилни мемории (LPDDR4X, 4266Mb/s) кои може да се најдат во денешните најдобри смартфони. Во пакет од 12GB, LPDDR5 може да пренесе 44GB на податоци, или 12 целосно HD (3.7GB-големина) филмови, за само 1 секунда. Новиот чип користи до 30% помалку енергија за разлика од неговите претходници интегрирајќи нов дизајн на колата со подобрени брзини, тренинг и ниско потрошувачки карактеристики кои гарантираат стабилни перформанси дури кога работат со многу големи брзини.
Со цел производствениот капацитет подобро да се менаџира и со повеќе флексибилност, Самсунг размислува за пренесување на производството на 12Gb LPDDR5 на својот Pyeongtaek кампус во Кореа наредната година, зависно од побарувачката од глобалните потрошувачи. По претставувањето на 12Gb LPDDR5 мобилен DRAM, Самсунг очекува да се развие и 16Gb LPDDR5 наредната година, со цел да го зацврсти конкурентната предност на глобалниот пазар за меморија.
###
[Референца] Временски приказ за Самсунг Мобилен DRAM: Производство/Мас. произ.
| Дата | Капацитет | Мобилен DRAM |
| Јули 2019 | 12GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Јуни 2019 | 6GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Фев. 2019 | 12GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Април 2018 | 8GB (равојно) | 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
| Септ. 2016 | 8GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Авг. 2015 | 6GB | 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
| Дек. 2014 | 4GB | 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
| Септ. 2014 | 3GB | 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Нов. 2013 | 3GB | 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Јули 2013 | 3GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Април 2013 | 2GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Авг. 2012 | 2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
| 2011 | 1/2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s |
